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测得某增强型场效应管栅源电压为2V，已知Vth=1V，则该管不可能工作在（）区。

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发布时间：2022-08-19

更多“测得某增强型场效应管栅源电压为2V，已知Vth=1V，则该管不可能工作在（）区。”相关的问题

第1题

增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（)。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第2题

栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是（)。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第3题

增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时，使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时，使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第4题

源极跟随器电路如图题4.5.3所示。V_DD=V_SS=5V。电流源I=5mA，R_g=200千欧，R_L=1千欧

，场效应管参数为V_TP=-2V，K_p=5mA/V₂，λ=0。试求：(1)电路的输出电.阻和输入电阻;(2)小信号电压增益。

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第5题

测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下，其V_T或V_P值也已知，试判断该管工作在什么区域(

测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下，其V_T或V_P值也已知，试判断该管工作在什么区域（

饱和区，可变电阻区，预夹断临界点或截止)。

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第6题

测得某放大电路的开路输出电压为2V、带负载电阻6kΩ后的输出电压为1.6V，则放大电路的输出电阻为（)。

A.6kΩ

B.2kΩ

C.1.5kΩ

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第7题

某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第8题

在图所示电路中，已知Us=2V，Is=2A，则输出电功率的是()。

A.电压源

B.电流源

C.电压源和电流源

D.电阻

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第9题

n沟增强型MOS管在栅压为零时，由于氧化层中正电荷的作用，半导体表面为（)状态，开启电压为（)。

A.积累，正值

B.耗尽，正值

C.积累，负值

D.耗尽，负值

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第10题

已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：(1)电

已知电路如图题4.3.3a（主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：（1)电

源电压V_DD，静态栅源电压V_GS，漏极电流I_DQ和漏源电压V_DSQ值;(2) 已知R_g1=200kQ，R_g2等于多少？(3) R_d、R_L的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度V_om(设v_i为正弦信号)。

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第11题

已知个I=6A的理想电流源与个R=3Ω的电阻相并联，则这个井联电路的等效电路可用（)表示。

A.Is=6A的理想电流源

B.Us=18V的理想电压源

C.Us=18V的理想电压源与R=3Ω的电阻相串联的电路

D.Us=2V的理想电压源与R=3Ω的电阻相串联的电路

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