题目内容
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[单选题]
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C. 光刻胶
D.去离子水
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A.二氧化硅
B.氮化硅
C. 光刻胶
D.去离子水
第1题
第11题
A.在沉积温度下,反应物具有足够高的蒸气压,并能以适当的速度被引入反应室
B.反应产物除了形成固态薄膜物质外,都必须是挥发性的
C.沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压,以保证在反应中能保持在受热的基体上,不会挥发
D.作为涂层的分解或还原产物在作业温度下必须是易挥发的固相物质