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[单选题]

n沟增强型MOSFET的衬底材料为_半导体，在工作时通常源端接_。

A.n型，电源电压

B.n型，地

C.p型，电源电压

D.p型，地

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发布时间：2022-08-03

更多“n沟增强型MOSFET的衬底材料为___半导体，在工作时通常源端接___。”相关的问题

第1题

以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是（)。

A.氧化层正电荷控制不当

B.衬底材料掺杂浓度选择不妥

C.源漏材料掺杂浓度选择不妥

D.以上都是形成的原因

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第2题

已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm²/V.s,C_v=3x10^-8F/cm²,W/l=1/1.47,|V≇

已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm²/V.s,

C_v=3x10^-8F/cm²,W/l=1/1.47,|V_A|=200V,V_DS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流I_DQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻r_ds,放大因子μ.(2)当V_DS增加10%时,相应的I_DQ值.(3)画出小信号电路模型.

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第3题

衬源短接的增强型NMOSFET，VDS＞0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在？（）

A.源区

B.沟道区靠近源区一侧

C.沟道区靠近漏区一侧

D.漏区

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第4题

外延生长过程中影响量子点形貌最重要的两个因素是（)。

A.衬底温度

B.材料组分和总量

C.生长速率

D.暴露时间

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第5题

当MOSFET栅极电压未达到阈值电压值时，流过漏极的电流为零。（)

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第6题

电缆进出口应采用防火材料封堵，电力电缆可以与信号电缆同沟敷设。（)

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第7题

当衬源零偏时，某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地，源接0.5V，则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是（）。

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.1.8V

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第8题

屋面卷材防水施工中，关于找平层的排水坡度应符合设计要求的表述，错误的是（）。 A．采用材料找坡宜

屋面卷材防水施工中，关于找平层的排水坡度应符合设计要求的表述，错误的是（）。

A．采用材料找坡宜为2%

B．天沟、檐沟纵向找坡不应小于1%

C．沟底水落差不得超过300mm

D．平屋面采用结构找坡不应小于3%

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第9题

增强型全速率的编码机制和普通全速率不同，但速率相同。（)

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第10题

增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（)。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第11题

增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时，使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时，使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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