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（请给出正确答案）
A.碰撞电离率小于1
B.碰撞电离率等于1
C.碰撞电离率积分等于1
D.碰撞电离率积分小于1
答案
更多“随着PN结反向电压的增加，载流子在势垒区积累的能量增加，会发生雪崩倍增效应，当()时，雪崩倍增因子趋于无穷大，发生雪崩击穿。”相关的问题
第5题
A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿
B.隧道击穿也称齐纳击穿
C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中
D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负
第6题
A.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理
B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加
C.对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理
D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加
E.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
F.对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
第8题
A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上
B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展
C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等
D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似
第9题
A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响
B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用，而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响
C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响，而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用
D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用
第10题
A.LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术
B.发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成
C.PN结位于p型半导体和n型半导体的过渡层上
D.LED的状态是通过PN结外加电压来控制的
