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第1题
刻蚀的方法有两类：湿法刻蚀和干法刻蚀，其中，（)是利用液体化学试剂以化学形式除去硅片表面材料。而（)是利用等离子体辅助来进行刻蚀的技术，刻蚀反应中不涉及液体。
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第2题
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（)就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
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第3题
（)主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。
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第4题
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（)内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
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第5题
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（)覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
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第6题
光刻技术的原理和印刷的照相制版相似，即在硅基材料上涂覆光刻胶，接着利用分辨率极高的能量束来通过掩模，对光刻胶层进行选择性曝光。经显影后，在光刻胶层上获得和掩模图像相同的极微细的几何图形，再利用刻蚀等方法在工件材料上制造出微型结构。（)
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第7题
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（)。
A.等离子体刻蚀
B.反应离子刻蚀
C.湿法刻蚀
D.溅射刻蚀
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第8题
（)是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。
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第9题
计算机辅助评价研究的方法有利用常用软件辅助评价研究的方法、利用专门的评价工具软件来帮助自己进行评价研究。（)
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第10题
V法造型时，模样结构对吸膜的成型性有重要影响，下列不属于吸膜成形方法的选项是（)。
A.辅助成型
B.局部强化抽真空吸膜成型
C.薄膜烘烤预成型
D.局部预成型
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