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题目内容
（请给出正确答案）
A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
答案
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第1题
度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍.试问流过电阻R的电流IR值.
第7题
在一放大电路中，有三个正常工作的三极管，测得三个电极的电位U1、U2、U3分别为
(1) U1=6V，U2=3V，U3=23V
(2) U1=3V，U2=103V，U3=10V
(3) U1= -6V，U2= 23V，U3=2V
试确定三极管的各电极，并说明三极管是硅管还是锗管？是NPN型还是PNP型。
第11题
A.NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器
B.当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD
C.当NMOS管导通时，输出电压VD下降
D.管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用
